- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/8258 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes , , ou
Détention brevets de la classe H01L 21/8258
Brevets de cette classe: 459
Historique des publications depuis 10 ans
|
44
|
70
|
63
|
72
|
61
|
45
|
23
|
25
|
28
|
10
|
| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
57 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
54 |
| Intel Corporation | 45621 |
52 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
36 |
| Infineon Technologies Austria AG | 1954 |
14 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
12 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5345 |
12 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
11 |
| Qualcomm Incorporated | 76576 |
10 |
| Raytheon Company | 8535 |
10 |
| IMEC VZW | 1410 |
10 |
| Infineon Technologies Americas Corp. | 768 |
10 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 784 |
10 |
| Massachusetts Institute of Technology | 9795 |
9 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
8 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
8 |
| Nanyang Technological University | 1739 |
7 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
6 |
| Efficient Power Conversion Corporation | 120 |
6 |
| Infineon Technologies AG | 8189 |
4 |
| Autres propriétaires | 113 |